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材料世界網:以磊晶原理製作低電阻TNO與SnO2透明導電膜查詢公司統一編號,核准設立,新北市政府,新北市3重區中正北路25巷2之1號5樓營業項目,五金批發業,機械批發業董監事,董事股數1日本神奈川科學技術學院(KAST)的長谷川哲也研究團隊,最近發表了利用磊晶原理製作的低電阻TNO(TiO 2 摻雜Nb)與SnO 2 透明導電膜,其中TNO的電阻率可到達與ITO同等級的3.6×10-4 Ω-cm,而SnO 2 的載子遷移率則高達84 cm 2 /V-s。 …
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